SUM110N06-3M4L-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 110 A
输入电容Ciss 12900pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUM110N06-3M4L-E3引脚图与封装图
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在线购买SUM110N06-3M4L-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUM110N06-3M4L-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SUM110N06-3M4L-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SUM110N06-3M4L-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-263 N-Channel 60V 110A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： IRFS3006PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 270A | 功能相似 | INFINEON IRFS3006PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 V | SUM110N06-3M4L-E3和IRFS3006PBF的区别 |
| 型号： BUK964R2-60E 品牌： 恩智浦 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | NXP BUK964R2-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3460 µohm, 5 V, 1.7 V | SUM110N06-3M4L-E3和BUK964R2-60E的区别 |