BUK964R2-60E
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK964R2-60E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.00346 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 263 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Automation & Process Control, Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BUK964R2-60E引脚图与封装图
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在线购买BUK964R2-60E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK964R2-60E | NXP 恩智浦 | NXP BUK964R2-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3460 µohm, 5 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号BUK964R2-60E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK964R2-60E 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-263 N-Channel | 当前型号 | NXP BUK964R2-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3460 µohm, 5 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： SUM110N06-3M4L-E3 品牌： 威世 封装： TO-263 N-Channel 60V 110A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | BUK964R2-60E和SUM110N06-3M4L-E3的区别 |
| 型号： SUM110N06-3M9H-E3 品牌： 威世 封装： TO-263 N-Channel 3.25mohms | 功能相似 | VISHAY SUM110N06-3M9H-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V | BUK964R2-60E和SUM110N06-3M9H-E3的区别 |