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SUD08P06-155L-E3

SUD08P06-155L-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SUD08P06-155L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


e络盟:
VISHAY  SUD08P06-155L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin2+Tab DPAK


Allied Electronics:
MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rdson 28mohm, Id -8.4A, TO-263, Pd 2W


Newark:
# VISHAY  SUD08P06-155L-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V


SUD08P06-155L-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -8.40 A

上升时间 14.0 ns

下降时间 7 nS

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SUD08P06-155L-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUD08P06-155L-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SUD08P06-155L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V 搜索库存
替代型号SUD08P06-155L-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SUD08P06-155L-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-252 P-Channel 60V 8.4A 125mΩ

当前型号

VISHAY  SUD08P06-155L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

当前型号

型号: SPD18P06PGBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL P-Channel 60V 18.6A

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SUD08P06-155L-E3和SPD18P06PGBTMA1的区别