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2N3741、JAN2N3740、JAN2N3741对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3741 JAN2N3740 JAN2N3741

描述 Trans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin(2+Tab) TO-66 SleevePNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-66-2 TO-213 TO-213

安装方式 - Through Hole Through Hole

频率 4 MHz - -

耗散功率 25 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @50mA, 10V 30 @250mA, 1V 30 @250mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 200 @250mA, 1V - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 25000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 80 V

额定功率(Max) - 25 W 25 W

封装 TO-66-2 TO-213 TO-213

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 EAR99 - -