2N3741、JAN2N3740、JAN2N3741对比区别
描述 Trans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin(2+Tab) TO-66 SleevePNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3 3
封装 TO-66-2 TO-213 TO-213
安装方式 - Through Hole Through Hole
频率 4 MHz - -
耗散功率 25 W - -
最小电流放大倍数(hFE) 25 @50mA, 10V 30 @250mA, 1V 30 @250mA, 1V
最大电流放大倍数(hFE) 200 @250mA, 1V - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 25000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 80 V
额定功率(Max) - 25 W 25 W
封装 TO-66-2 TO-213 TO-213
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 - -