JAN2N3740
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3740中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-213
外形尺寸
封装 TO-213
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N3740引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3740
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3740 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-213AA | 当前型号 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3741 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin2+Tab TO-66 Sleeve | JAN2N3740和2N3741的区别 |
| 型号： JANTX2N3740 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 4A IC, 60V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin | JAN2N3740和JANTX2N3740的区别 |