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BCR19PN、MUN5316DW1T1G、PUMD6,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR19PN MUN5316DW1T1G PUMD6,115

描述 BCR19PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记W2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363NXP  PUMD6,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363-6

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

通道数 - 2 -

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 - 0.385 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 250 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 300 mW

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 200

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -