BCR19PN
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BCR19PN中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BCR19PN引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR19PN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR19PN | Infineon 英飞凌 | BCR19PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记W2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | 搜索库存 |
替代型号BCR19PN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR19PN 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | BCR19PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记W2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | 当前型号 |
| 型号： MUN5316DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363 | BCR19PN和MUN5316DW1T1G的区别 |
| 型号： PUMD6,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 功能相似 | NXP PUMD6,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 | BCR19PN和PUMD6,115的区别 |
