STB13NM60N、STB170NF04、FCB11N60TM对比区别

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型号 STB13NM60N STB170NF04 FCB11N60TM

描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronicsN沟道 40V 80AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.28 Ω - 0.32 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 90 W 300 W 125 W

阈值电压 3 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 40 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A 80A 11.0 A

上升时间 8 ns 57 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 9000pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W - 125 W

下降时间 10 ns 66 ns 56 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 300W (Tc) 125W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 11.0 A

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 10.75 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 10.4 mm 9.35 mm 9.65 mm

高度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99