2SC3324、BSS64LT1、BSS64LT1G对比区别
描述 S-Mini NPN 120V 0.1A驱动晶体管 Driver TransistorON SEMICONDUCTOR BSS64LT1G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 S-Mini SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - - 60 MHz
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 100 mA 100 mA
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - - 225 mW
增益频宽积 - - 60 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @10mA, 1V 20 @10mA, 1V
额定功率(Max) - 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 20
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 300 mW
长度 - - 3.04 mm
宽度 - - 2.64 mm
高度 - - 1.11 mm
封装 S-Mini SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99