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BSS64LT1G

ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3


立创商城:
BSS64LT1G


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN


e络盟:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE


艾睿:
Use this versatile NPN BSS64LT1G GP BJT from ON Semiconductor to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi BSS64LT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 80 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23


DeviceMart:
TRANS NPN 80V 100MA SOT-23


BSS64LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 60 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 60 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSS64LT1G引脚图与封装图
BSS64LT1G引脚图

BSS64LT1G引脚图

BSS64LT1G封装焊盘图

BSS64LT1G封装焊盘图

在线购买BSS64LT1G
型号 制造商 描述 购买
BSS64LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新 搜索库存
替代型号BSS64LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS64LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 100mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新

当前型号

型号: BSS64LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 100mA

完全替代

驱动晶体管 Driver Transistor

BSS64LT1G和BSS64LT1的区别

型号: BSS64

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 -80V -200mA 350mW

功能相似

BSS64 三极管NPN 120V 0.2A 60MHZ SOT23 代码 U3

BSS64LT1G和BSS64的区别

型号: BSS64,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

功能相似

TO-236AB NPN 80V 0.1A

BSS64LT1G和BSS64,215的区别