BF840,215、BF840,235、MMBT3416LT3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BF840,215 BF840,235 MMBT3416LT3G

描述 NXP  BF840,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 380 MHz, 250 mW, 25 mA, 67 hFETO-236AB NPN 40V 0.025ANPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 380 MHz - 75 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.025A 0.025A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 67 @1mA, 10V 67 @1mA, 10V 75 @2mA, 4.5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 67 - 75

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 100 mA

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 2.64 mm

高度 - - 1.11 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99