CY7C1314BV18-250BZC、UPD44165362AF5-E50-EQ2-A、CY7C1314BV18-250BZXC对比区别

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型号 CY7C1314BV18-250BZC UPD44165362AF5-E50-EQ2-A CY7C1314BV18-250BZXC

描述 18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM DDRII 18Mbit .10UM 165-PBGA18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

位数 36 36 36

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)