CY7C1314BV18-250BZC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1314BV18-250BZC

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CY7C1314BV18-250BZC中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

CY7C1314BV18-250BZC引脚图与封装图

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CY7C1314BV18-250BZC	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	搜索库存

替代型号CY7C1314BV18-250BZC

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