UPD44165362AF5-E50-EQ2-A
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
电子元器件分类
UPD44165362AF5-E50-EQ2-A中文资料参数规格
技术参数
位数 36
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
封装参数
引脚数 165
封装 BGA
外形尺寸
封装 BGA
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPD44165362AF5-E50-EQ2-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UPD44165362AF5-E50-EQ2-A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UPD44165362AF5-E50-EQ2-A | Renesas Electronics 瑞萨电子 | SRAM DDRII 18Mbit .10UM 165-PBGA | 搜索库存 |
替代型号UPD44165362AF5-E50-EQ2-A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UPD44165362AF5-E50-EQ2-A 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： | 当前型号 | SRAM DDRII 18Mbit .10UM 165-PBGA | 当前型号 |
| 型号： CY7C1314BV18-250BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 功能相似 | 18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | UPD44165362AF5-E50-EQ2-A和CY7C1314BV18-250BZC的区别 |
