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MMBTH10、MMBTH10LT1、MMBTH10LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTH10 MMBTH10LT1 MMBTH10LT1G

描述 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFEVHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 650 MHz

额定电压(DC) - 25.0 V 25.0 V

额定电流 - 4.00 mA 4.00 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 3 - 3

极性 - N-Channel NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 60 - 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99