FDN335N、MGSF2N02ELT1G、MGSF2N02ELT1对比区别

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型号 FDN335N MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN335N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mVON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V2.8安培， 20伏， N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V

额定电流 1.70 A 2.80 A 2.80 A

漏源极电阻 0.055 Ω 0.078 Ω 85.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 1.25 W 1.25 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20.0 V

漏源击穿电压 -60.0 V 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 2.80 A 2.80 A

上升时间 8.5 ns 95 ns 95 ns

下降时间 3 ns 125 ns 95 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 900 mV 1 V -

输入电容(Ciss) 310pF @10V(Vds) 150pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW 1.25 W -

耗散功率(Max) 0.5 W 1.25W (Ta) -

额定功率 500 mW - -

输入电容 40.0 pF - -

栅电荷 3.50 nC - -

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -