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TIP137、TIP32C、2N6042G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP137 TIP32C 2N6042G

描述 STMICROELECTRONICS  TIP137  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 1000 hFESTMICROELECTRONICS  TIP32C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 40 W, -3 A, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  2N6042G.  达林顿双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -8.00 A -3.00 A -8.00 A

输出电压 - - 60 V

输出电流 - - 8 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN, PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 2 W 40 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 - - 57℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 - - 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 10 @3A, 4V 1000 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - - 20000

额定功率(Max) 2 W 2 W 75 W

直流电流增益(hFE) 1000 50 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 75000 mW

输入电压 - - 2.8 V

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.28 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99