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BD13916STU、BD139G、BD13916S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD13916STU BD139G BD13916S

描述 ON Semiconductor BD13916STU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 TO-126封装PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916S  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.50 A 1.50 A

针脚数 3 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 25 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 100 40 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

长度 8 mm 7.74 mm -

宽度 3.25 mm 2.66 mm -

高度 11 mm 11.04 mm 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99