BD13916STU
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
BD13916STU中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BD13916STU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BD13916STU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD13916STU | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor BD13916STU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 TO-126封装 | 搜索库存 |
替代型号BD13916STU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD13916STU 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA 1250mW | 当前型号 | ON Semiconductor BD13916STU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 TO-126封装 | 当前型号 |
| 型号： BD13916S 品牌： 安森美 封装： TO-225AA 1250mW | 完全替代 | NPN 1.25 W 80 V 1.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3 | BD13916STU和BD13916S的区别 |
| 型号： BD139G 品牌： 安森美 封装： TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW | 类似代替 | PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BD13916STU和BD139G的区别 |
| 型号： BD1396STU 品牌： 安森美 封装： TO-225AA | 类似代替 | ON Semiconductor BD1396STU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:25, 3引脚 TO-126封装 | BD13916STU和BD1396STU的区别 |