BSB012NE2LX、FDMS2504SDC、BSB012NE2LXIXUMA1对比区别
型号 BSB012NE2LX FDMS2504SDC BSB012NE2LXIXUMA1
描述 N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFETN沟道 25V 42A 49A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 MG-WDSON-2 Power-56-8 MG-WDSON-2
引脚数 - 8 -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.8W (Ta), 57W (Tc) 3.3 W 57 W
阈值电压 1.2V ~ 2V 1.6 V 1V ~ 2V
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 37A 42A 37A
输入电容(Ciss) 4900pF @12V(Vds) 7770pF @13V(Vds) 5852pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 2.8 W 3.3 W -
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 3.3W (Ta), 104W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
通道数 - 2 1
漏源极电阻 - 0.001 Ω 1 mΩ
漏源击穿电压 - 25 V 25 V
上升时间 - 9 ns 6.4 ns
下降时间 - 5 ns 4.8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ 40 ℃
额定功率 - - 57 W
封装 MG-WDSON-2 Power-56-8 MG-WDSON-2
长度 - 6 mm 6.35 mm
宽度 - 5 mm 5.05 mm
高度 - 1.1 mm 0.7 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -