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STB75NF75T4、PSMN017-80BS,118、BUK9609-75A,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB75NF75T4 PSMN017-80BS,118 BUK9609-75A,118

描述 N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETD2PAK N-CH 80V 50AD2PAK N-CH 75V 75A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 103 W 230 W

漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80A 50A 75A

上升时间 100 ns 12 ns 185 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 1573pF @40V(Vds) 8840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 103 W 230 W

下降时间 30 ns 8 ns 226 ns

耗散功率(Max) 300W (Tc) 103W (Tc) -

通道数 1 - -

阈值电压 3 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free