极性 N-CH
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 8840pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 226 ns
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK9609-75A,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 75V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK9609-75A,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 75V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 75V 75A | 当前型号 | |
型号: STB75NF75T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 N-CH 75V 80A | 功能相似 | N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET | BUK9609-75A,118和STB75NF75T4的区别 | |
型号: BUK9609-75A 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | BUK9609-75A,118和BUK9609-75A的区别 |