PSMN017-80BS,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN017-80BS,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 103 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1573pF @40VVds
额定功率Max 103 W
下降时间 8 ns
耗散功率Max 103W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN017-80BS,118引脚图与封装图
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在线购买PSMN017-80BS,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN017-80BS,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 80V 50A | 搜索库存 |
替代型号PSMN017-80BS,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN017-80BS,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 80V 50A | 当前型号 | D2PAK N-CH 80V 50A | 当前型号 |
| 型号： STB75NF75T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-CH 75V 80A | 功能相似 | N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET | PSMN017-80BS,118和STB75NF75T4的区别 |