锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STD17NF25、STD6N95K5、IRFR15N20DPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD17NF25 STD6N95K5 IRFR15N20DPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STD17NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VN沟道 200V 17A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 17.0 A

漏源极电阻 0.14 Ω 1 Ω 0.165 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 90 W 3 W

产品系列 - - IRFR15N20D

阈值电压 3 V 4 V 5.5 V

输入电容 - 450 pF 910pF @25V

漏源极电压(Vds) 250 V 950 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 9A 17.0 A

上升时间 17.2 ns 12 ns 32.0 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 910pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 90 W 3 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 3 3 -

下降时间 8.8 ns 21 ns -

耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) -

长度 6.6 mm - 6.73 mm

高度 2.4 mm - 2.26 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 6.2 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -