
额定电压DC 200 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 0.165 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
产品系列 IRFR15N20D
阈值电压 5.5 V
输入电容 910pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 32.0 ns
输入电容Ciss 910pF @25VVds
额定功率Max 3 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.26 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR15N20DPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 200V 17A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR15N20DPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 200V 17A | 当前型号 | N沟道 200V 17A | 当前型号 | |
型号: STD20NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 200V 18A 125mohms 940pF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V | IRFR15N20DPBF和STD20NF20的区别 | |
型号: STD17NF25 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 250V 8.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V | IRFR15N20DPBF和STD17NF25的区别 |