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70T3519S166BFG、IDT70T3519S133BF、70V7519S133BFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S166BFG IDT70T3519S133BF 70V7519S133BFI

描述 256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sHIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 LFBGA LFBGA-208

存取时间 3.6 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 2.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

长度 15 mm - 15.0 mm

宽度 15 mm - 15.0 mm

高度 1.4 mm - -

封装 CABGA-208 LFBGA LFBGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -