
电源电压 3.15V ~ 3.45V
引脚数 208
封装 LFBGA-208
长度 15.0 mm
宽度 15.0 mm
封装 LFBGA-208
厚度 1.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube, Rail
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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70V7519S133BFI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | HIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 70V7519S133BFI 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 当前型号 | HIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE | 当前型号 | |
型号: 70T3519S133BFGI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 类似代替 | Dual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 | 70V7519S133BFI和70T3519S133BFGI的区别 | |
型号: 70T651S10BFG 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 功能相似 | 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM | 70V7519S133BFI和70T651S10BFG的区别 | |
型号: 70T651S12DRI 品牌: 艾迪悌 封装: PQFP 208Pin | 功能相似 | 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM | 70V7519S133BFI和70T651S12DRI的区别 |