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BC847BPDXV6T1G、PEMZ1,115、BC847BPDXV6T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BPDXV6T1G PEMZ1,115 BC847BPDXV6T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDXV6T1G  双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新SOT-666 NPN+PNP 40V 0.1A双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电流 100 mA - 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 6 - -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 500 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 40 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 120 @1mA, 6V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 357 mW 300 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 200 120 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -50 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 357 mW 200 mW -

额定电压(DC) - - 45.0 V

增益频宽积 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 120 @1mA, 6V -

长度 1.7 mm 1.7 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.6 mm 0.6 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -