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BC847BPDXV6T1G

BC847BPDXV6T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDXV6T1G  双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563


立创商城:
BC847BPDXV6T1G


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Use this versatile npn and PNP BC847BPDXV6T1G GP BJT from ON Semiconductor to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6@NPN|5@PNP V. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6@NPN|5@PNP V.


Allied Electronics:
ON Semi BC847BPDXV6T1G NPN Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SOT-563


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDXV6T1G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-563


DeviceMart:
TRANS NPN/PNP DUAL LP 45V SOT563


Win Source:
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563


BC847BPDXV6T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 357 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 357 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC847BPDXV6T1G引脚图与封装图
BC847BPDXV6T1G引脚图

BC847BPDXV6T1G引脚图

BC847BPDXV6T1G封装焊盘图

BC847BPDXV6T1G封装焊盘图

在线购买BC847BPDXV6T1G
型号 制造商 描述 购买
BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDXV6T1G  双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新 搜索库存
替代型号BC847BPDXV6T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847BPDXV6T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-563 NPN 100mA 500mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDXV6T1G  双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新

当前型号

型号: BC847BVN,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-666 NPN 200mW

功能相似

NXP  BC847BVN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666

BC847BPDXV6T1G和BC847BVN,115的区别

型号: PEMZ1,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-563 NPN 200mW

功能相似

SOT-666 NPN+PNP 40V 0.1A

BC847BPDXV6T1G和PEMZ1,115的区别

型号: BC847BPDXV6T1

品牌: 安森美

封装: SOT-563 NPN PNP 100mA

功能相似

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

BC847BPDXV6T1G和BC847BPDXV6T1的区别