锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUF602IDR、BUF602IDRG4、BUF602IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUF602IDR BUF602IDRG4 BUF602IDG4

描述 高速,闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer高速,闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer高速,闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - - 8

供电电流 5.8 mA 5.8 mA 5.8 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

转换速率 8.00 kV/μs 8.00 kV/μs 8.00 kV/μs

增益频宽积 1 GHz 1 GHz 1 GHz

输入补偿电压 16 mV 16 mV 16 mV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 3 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ 45 ℃

输出电流 - - 60mA @5V

电源电压(Max) - - 12.6 V

电源电压(Min) - - 2.8 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -45℃ ~ 85℃ -45℃ ~ 85℃ -45℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free