BUF602IDR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
BUF602IDR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 5.8 mA
电路数 1
通道数 1
转换速率 8.00 kV/μs
增益频宽积 1 GHz
输入补偿电压 16 mV
输入偏置电流 3 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -45 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -45℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUF602IDR引脚图与封装图 
BUF602IDR引脚图
BUF602IDR封装图
BUF602IDR封装焊盘图
替代型号BUF602IDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUF602IDR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8kV/us 1Channel | 当前型号 | 高速，闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer | 当前型号 |
| 型号： BUF602ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1.2GHz 1Channel 8Pin | 完全替代 | TEXAS INSTRUMENTS BUF602ID. 缓冲放大器, 2 放大器, 1000 MHz, 8000 V/µs, ± 1.4V 至 ± 6.3V, SOIC, 8 引脚 | BUF602IDR和BUF602ID的区别 |
| 型号： BUF602IDRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8kV/us 1Channel | 完全替代 | 高速，闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer | BUF602IDR和BUF602IDRG4的区别 |
| 型号： BUF602IDG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1.2GHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 高速，闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer | BUF602IDR和BUF602IDG4的区别 |