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BC81825MTF、MMBT6429LT1G、KSC3265YMTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC81825MTF MMBT6429LT1G KSC3265YMTF

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3265YMTF  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 120 MHz, 200 mW, 800 mA, 160 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 700 MHz 120 MHz

额定电压(DC) - 45.0 V 25.0 V

额定电流 - 200 mA 800 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.31 W 225 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 45 V 25 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.2A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 500 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 310 mW 225 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - 500 160

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310 mW 300 mW 200 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.97 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99