频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC81825MTF | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSC3265YMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 25V 800mA 200mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC3265YMTF 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 120 MHz, 200 mW, 800 mA, 160 hFE | BC81825MTF和KSC3265YMTF的区别 | |
型号: MMBT5089LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 25V 50mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5089LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | BC81825MTF和MMBT5089LT1G的区别 | |
型号: MMBT6429LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | BC81825MTF和MMBT6429LT1G的区别 |