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BC858ALT1G、BC858AWT1、BC858ALT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858ALT1G BC858AWT1 BC858ALT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858ALT1G  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 90 hFE通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 150 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 125 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 90 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - -

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 3.04 mm 2.1 mm 2.9 mm

宽度 2.64 mm 1.24 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 0.85 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -