BC858AWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC858AWT1引脚图与封装图
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在线购买BC858AWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858AWT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC858AWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858AWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC858AWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -30V -100mA 150mW | 完全替代 | 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 125 hFE | BC858AWT1和BC858AWT1G的区别 |
| 型号： BC858ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC858ALT1G 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 90 hFE | BC858AWT1和BC858ALT1G的区别 |
| 型号： BC858AW-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 200mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/R | BC858AWT1和BC858AW-7-F的区别 |