STD60NF06T4、STD7NK40ZT4、IRFR2405TRPBF对比区别

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型号 STD60NF06T4 STD7NK40ZT4 IRFR2405TRPBF

描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 56A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.014 Ω 0.85 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 70 W 110 W

阈值电压 4 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 400 V 55 V

漏源击穿电压 60.0 V 400 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 2.70 A 56.0 A

上升时间 108 ns 15 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 1810pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds) 2430pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 70 W 110 W

下降时间 20 ns 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70000 mW -

额定电压(DC) - 400 V 55.0 V

额定电流 - 5.40 A 56.0 A

输入电容 - 535 pF -

产品系列 - - IRFR2405

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -