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STD7NK40ZT4

STD7NK40ZT4

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 400V 5.4A


得捷:
MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3.75 V


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Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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N-沟道 400 V 1 Ohm 表面贴装 SuperMESH 功率 MosFet - TO-252


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Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK


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# STMICROELECTRONICS  STD7NK40ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 400 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V


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**N-CH 400V 7A 1000mOhm TO252-3 **


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MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK


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MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK


STD7NK40ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 5.40 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 535 pF

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 535pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 工业, 照明, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD7NK40ZT4引脚图与封装图
STD7NK40ZT4引脚图

STD7NK40ZT4引脚图

STD7NK40ZT4封装图

STD7NK40ZT4封装图

STD7NK40ZT4封装焊盘图

STD7NK40ZT4封装焊盘图

在线购买STD7NK40ZT4
型号 制造商 描述 购买
STD7NK40ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STD7NK40ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD7NK40ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 400V 2.7A 1Ω

当前型号

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STD18N55M5

品牌： 意法半导体

封装： DPAK N-Channel 550V 16A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

STD7NK40ZT4和STD18N55M5的区别

型号： STD15NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

类似代替

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

STD7NK40ZT4和STD15NF10T4的区别

型号： STD60NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD7NK40ZT4和STD60NF06T4的区别