VND7NV04、VND7NV04TR-E、VND7NV0413TR对比区别

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型号 VND7NV04 VND7NV04TR-E VND7NV0413TR

描述 â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mVâ ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 60.0 mΩ 0.06 Ω 60.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60 W 60000 mW

漏源击穿电压 42 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 6.00 A

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输入数 1 1 1

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW

输出电流 - 9 A -

供电电流 - 0.1 mA -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 500 mV -

漏源极电压(Vds) - 45 V -

输出电流(Min) - 6 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 6.00 A - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99