VND7NV04中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 6.00 A
输出接口数 1
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
漏源击穿电压 42 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输出电流Max 6 A
输入数 1
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND7NV04引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND7NV04
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND7NV04 | ST Microelectronics 意法半导体 | â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VND7NV04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND7NV04 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 | 当前型号 | â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VND7NV04TR-E 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 6A 60mΩ | 类似代替 | STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV | VND7NV04和VND7NV04TR-E的区别 |
| 型号： VND7NV04-E 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 6A 60mohms | 类似代替 | STMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V | VND7NV04和VND7NV04-E的区别 |
| 型号： VND7NV0413TR 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 | 类似代替 | â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VND7NV04和VND7NV0413TR的区别 |