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VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


立创商城:
VND7NV04TR-E


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK


欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics


艾睿:
It&s;s easy to keep your circuit safe from high voltages with this simple low side VND7NV04TR-E power switch by STMicroelectronics. This charge controller has single output. It features 0.06Max Ohm switch on resistance. This device has a maximum power dissipation of 60000 mW. Its maximum power dissipation is 60000 mW. This device has a supply current of 0.1 mA and a minimum output current of 6 A. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery.


安富利:
Power Switch Lo Side 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
VND7NV04 Single Low Side Autoprotected 40 V 6 A 60 mOhm Power MOSFET - TO-252-3


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 1-OUT 6A 0.06Ohm Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV


儒卓力:
**LSS 60mOhm 40V TO252-3 SMD **


DeviceMart:
MOSFET POWER 40V 6A DPAK


Win Source:
MOSFET POWER 40V 6A DPAK


VND7NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 9 A

供电电流 0.1 mA

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 500 mV

漏源极电压Vds 45 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输出电流Max 6 A

输出电流Min 6 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND7NV04TR-E引脚图与封装图
VND7NV04TR-E引脚图

VND7NV04TR-E引脚图

VND7NV04TR-E封装图

VND7NV04TR-E封装图

VND7NV04TR-E封装焊盘图

VND7NV04TR-E封装焊盘图

在线购买VND7NV04TR-E
型号 制造商 描述 购买
VND7NV04TR-E ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV 搜索库存
替代型号VND7NV04TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND7NV04TR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 6A 60mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  VND7NV04TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV

当前型号

型号: VND7NV04-E

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 6A 60mohms

类似代替

STMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V

VND7NV04TR-E和VND7NV04-E的区别

型号: VND7NV04

品牌: 意法半导体

封装: TO-252

类似代替

â ???? OMNIFET IIA ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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品牌: 意法半导体

封装: TO-252

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