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CY7C1312CV18-167BZC、CY7C1312CV18-167BZI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1312CV18-167BZC CY7C1312CV18-167BZI

描述 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.5 ns 0.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead