DS1220AD-200IND、M48Z12-200PC1、DS1220AD-100IND+对比区别

高亮显示差异参数

型号 DS1220AD-200IND M48Z12-200PC1 DS1220AD-100IND+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP5V ， 16Kbit的（ 2K位×8 ） ZEROPOWER SRAM 5V, 16Kbit (2Kb x 8) ZEROPOWER SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - - 24

时钟频率 200 GHz 200 GHz 100 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 100 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

存取时间(Max) - 200 ns -

长度 - 34.8 mm 38.1 mm

宽度 - 18.34 mm 18.29 mm

高度 - 8.89 mm 10.67 mm

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -