锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BD243BG、BD243CG、BD243BTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD243BG BD243CG BD243BTU

描述 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power TransistorsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Trans GP BJT NPN 80V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 80.0 V

额定电流 - 6.00 A 6.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 65 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

集电极最大允许电流 6A - 6A

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) - 65 W 65 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 65000 mW 65000 mW

频率 - 3 MHz -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

高度 - 15.75 mm 9.4 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 4.82 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99