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MCP14E8-E/P、MCP14E7-E/P、LM5100BMAX/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E8-E/P MCP14E7-E/P LM5100BMAX/NOPB

描述 MCP14E6/E7/E8 MOSFET Drivers### MOSFET 和 IGBT 驱动器,MicrochipMICROCHIP  MCP14E7-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 2A输出, 45ns延迟, DIP-83A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) -

工作电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V -

上升/下降时间 12ns, 15ns 12ns, 15ns 570ns, 430ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2 A 2 A 2 A

通道数 2 2 -

耗散功率 1120 mW 1120 mW -

上升时间 35ns (Max) 35ns (Max) 570 ns

下降时间 40ns (Max) 40ns (Max) 430 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 430 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 570 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1120 mW 1120 mW -

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 18 V 18 V 14 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 9 V

针脚数 - 8 -

静态电流 - - 200 µA

长度 10.16 mm 10.16 mm 4.9 mm

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

宽度 - 7.11 mm 3.9 mm

高度 - 4.95 mm 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -