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MCP14E8-E/P

MCP14E8-E/P

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Microchip(微芯) 主动器件

MCP14E6/E7/E8 MOSFET Drivers### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip

Use this power driver from Technology to power your transistors. This device has a maximum propagation delay time of 65 ns and a maximum power dissipation of 1120 mW. Its maximum power dissipation is 1120 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 18 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

MCP14E8-E/P中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

工作电压 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 12ns, 15ns

输出接口数 2

输出电流 2 A

通道数 2

耗散功率 1120 mW

上升时间 35ns Max

下降时间 40ns Max

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1120 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.16 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MCP14E8-E/P引脚图与封装图
MCP14E8-E/P引脚图

MCP14E8-E/P引脚图

MCP14E8-E/P封装图

MCP14E8-E/P封装图

MCP14E8-E/P封装焊盘图

MCP14E8-E/P封装焊盘图

在线购买MCP14E8-E/P
型号 制造商 描述 购买
MCP14E8-E/P Microchip 微芯 MCP14E6/E7/E8 MOSFET Drivers ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip 搜索库存
替代型号MCP14E8-E/P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MCP14E8-E/P

品牌： Microchip 微芯

封装： PDIP 4.5V 8Pin

当前型号

MCP14E6/E7/E8 MOSFET Drivers### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip

当前型号

型号： MCP14E7-E/P

品牌： 微芯

封装： PDIP-8 4.5V 8Pin

完全替代

MICROCHIP  MCP14E7-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 2A输出, 45ns延迟, DIP-8

MCP14E8-E/P和MCP14E7-E/P的区别

型号： MCP14E6-E/MF

品牌： 微芯

封装： DFN-8 4.5V 8Pin

完全替代

2.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 DFN8

MCP14E8-E/P和MCP14E6-E/MF的区别

型号： MCP14E8-E/SN

品牌： 微芯

封装： SOIC-8 4.5V 8Pin

类似代替

MICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-8

MCP14E8-E/P和MCP14E8-E/SN的区别