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IRG4PC50SDPBF、STGW35NB60SD、STGW45HF60WDI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PC50SDPBF STGW35NB60SD STGW45HF60WDI

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC TubeSTMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定功率 200 W - -

产品系列 IRG4PC50SD - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 35.0 A -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 200 W 250000 mW

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 70.0 A -

上升时间 - 70 ns -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 44 ns 90 ns

额定功率(Max) - 200 W 250 W

耗散功率(Max) - 200 W 250000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99