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IRG4PC50SDPBF

IRG4PC50SDPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube

IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AD


得捷:
STANDARD SPEED COPACK IGBT W/ULT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab TO-247AC


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 70A; 200W; TO247AC


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


IRG4PC50SDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

产品系列 IRG4PC50SD

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG4PC50SDPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRG4PC50SDPBF International Rectifier 国际整流器 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube 搜索库存
替代型号IRG4PC50SDPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRG4PC50SDPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-247-3

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube

当前型号

型号: STGW35HF60WD

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 200000mW

类似代替

IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IRG4PC50SDPBF和STGW35HF60WD的区别

型号: STGW35NB60SD

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 600V 35A 200000mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IRG4PC50SDPBF和STGW35NB60SD的区别

型号: STGW40NC60WD

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 600V 40A 250000mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  STGW40NC60WD  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IRG4PC50SDPBF和STGW40NC60WD的区别