STGW45HF60WDI中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 90 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGW45HF60WDI引脚图与封装图
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在线购买STGW45HF60WDI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGW45HF60WDI | ST Microelectronics 意法半导体 | STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STGW45HF60WDI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGW45HF60WDI 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247-3 250000mW | 当前型号 | STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247 | 当前型号 |
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