锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD13380F3、CSD13381F4、CSD13383F4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD13380F3 CSD13381F4 CSD13383F4

描述 12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 15012V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4CSD13383F4 12V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 1400 mW 500 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 3.6A 2.1A 2.9A

上升时间 4 ns 1.5 ns 122 ns

输入电容(Ciss) 156pF @6V(Vds) 200pF @6V(Vds) 291pF @6V(Vds)

下降时间 3 ns 3.8 ns 290 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 180 mΩ -

阈值电压 - 850 mV -

漏源击穿电压 - 12 V -

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

长度 - 1 mm 1 mm

宽度 - 0.64 mm 0.64 mm

高度 - 0.35 mm 0.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -