CSD13380F3
TI(德州仪器)
分立器件
12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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RθJA = 90°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45cm2，2 盎司
（厚度 0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）。RθJA = 255°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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- 低导通电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 高运行漏极电流
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- 超小尺寸
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- 0.73mm x 0.64mm
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- 薄型
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- 最大高度为 0.35mm
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- 集成静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 3kV 人体模型 HBM
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- 额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了 优化
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- 针对通用开关应用进行了 优化
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- 电池 应用
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- 手持式和移动类 应用
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